纯净金属制备技术的发展历史

高纯金属是现代许多高、新技术的综合产物，虽然20 世纪30 年代便已出现“高纯物质”这一名称，但把高纯金属的研究和生产提高到重要日程，是在二次世界大战后，首先是原子能研究需要一系列高纯金属，而后随着半导体技术、宇航、无线电电子学等的发展，对金属纯度要求越来越高，大大促进了高纯金属生产的发展。

年代，合成化工原料和特殊制备工艺的发展，使陶瓷材料产生了一个飞跃，出现了从传统陶瓷向先进陶瓷的转变，许多新型功能陶瓷形成了产业，满足了电力、电子技术和航天技术的发展和需要。现在人们也按化学成分的不同将材料划分为金属材料，无机非金属材料和有机高分子材料三大类以及他们的复合材料。

发展史 原始时代已能冶炼并使用青铜、铜、金、银、铁、铅、锡等金属。 欧洲约西元前一千年开始制铁。最早使用的炼铁炉为空气式炉或用土石堆砌的熔铁炉（Low Shaft Furnace）、锻铁炉（Bloomery）。

年，在陕西临潼姜寨文化遗址中，发现了一块半圆形黄铜片和一块黄铜管状物，年代测定为公元前4700年左右。

金属玻璃的历史可以回溯至20世纪30年代，当时的Kramer首次通过气相沉积法成功制备出这种独特的材料。1950年，冶金学家发现了一种方法，即通过混入特定金属如镍和锆，能够抑制晶体的形成。这一发现使得金属玻璃的制备技术向前迈进了一步。

急!!!谁知道硅片化学机械抛光工艺流程??

1、抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在10－20um；精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下 主要原料：抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH（或KOH或NH4OH）组成，分为粗抛浆和精抛浆。

2、单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片→倒角→研磨→腐蚀--抛光→清洗→包装 切断： 目的：切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。

3、芯片制造工艺流程主要包括晶圆制备、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械抛光、金属化、测试和封装等步骤。这些步骤相互关联，共同确保芯片的高质量和性能。详细 晶圆制备：晶圆是芯片制造的基础，它是一块圆形的硅片。

4、清洗：在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。清洗的方式：主要是传统的RCA湿式化学洗净技术。

5、硅片的制作通常包括以下主要工艺流程： 单晶硅生长：通过化学气相沉积（CVD）或单晶硅浮区法等方法，在高温下将硅材料以单晶形式生长出来。这一步骤产生的单晶硅块被称为硅锭。 硅锭切割：将硅锭使用切割机械或切割工艺切割成薄而平坦的圆盘形硅片。

6、生产工艺流程具体介绍如下：切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。